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聆听芯动 高清尊王 音悦汇T11TE拆机评测
2009-12-28 09:38 出处:pconline 作者:PConline评测室·荷包蛋 责任编辑:zengxin
3、奔腾动力——256MB DDR2高速缓存 音悦汇T11TE采用128MB×2的双颗DDR 667高速缓存,型号为三星K4T1G164QQ-HCF7,满足了全高清解码的高速大容量缓存需要,有效的保证了视频解码与输出的流畅清晰。
由该芯片型号参数可以看出,其中K4T表示该芯片为三星DDR2 SDRAM系列闪存;1G代表容量1G bit(128MB Byte * 8bit / Byte = 1024 MB bit = 1G bit)容量;16代表芯片为16位;4表示内部 Banks为8 Banks;第一个Q代表接口为SSTL_18,VDD 1.8V、VDDQ 1.8V;第二个Q代表Q-die代;后半部分编码中H表示FBGA(Lead-Free & Halogen-Free,属于无卤、无铅的印制电路板)封装,无阵脚;C表示正常供电条件下芯片工作温度范围(0°C ~ 70°C);最后的F7表示该芯片参数规格为DDR2-800(400Mhz@CL=5, tRCD=5, tRP=5)。
该高速缓存体积小,散热性好,电气特性更好,性能稳定,同时也带来了产品零件成本高,对生产工艺要求更高的高投入,可见蓝魔音悦汇为了打造精品是不惜成本。 4、海量存储——三星16GB闪存芯片 音悦汇T11TE内置三星存储芯片,芯片型号K9HCG08U1D-PCBD,两颗8GB闪存颗粒组成16GB内存,另外,T11TE内置TF卡扩展槽,支持最高32GB外置容量扩展,可实现48GB海量存储空间。 TF扩展卡槽旁即为K9HCG08U1D-PCBD闪存颗粒,内存旁边的空白焊接位置是WIFI芯片预留位置,为后期Android系统+WIFI无线扩展预留了空间。 音悦汇T11TE的闪存芯片属于三星MLC-large block架构的量产产品。K9表示该芯片属于三星NAND 闪存;H代表MLC QDP(多层闪存芯片堆叠封装);CG代表容量为64Gb;0代表常规闪存技术(x8);8代表(x8)8位;U代表工作电压(2.7V~3.6V);1代表Dual nCE & Dual R/nB;D代表第5代。第二段P代表GTSOP1封装(Lead-Free,无铅无锡电路板技术);C表示芯片工作温度范围(0°C ~ 70°C);B表示Include Bad Block,D表示预编程版本为D。
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