聆听芯动 高清尊王 音悦汇T11TE拆机评测

3、奔腾动力——256MB DDR2高速缓存

　　音悦汇T11TE采用128MB×2的双颗DDR 667高速缓存，型号为三星K4T1G164QQ-HCF7，满足了全高清解码的高速大容量缓存需要，有效的保证了视频解码与输出的流畅清晰。

三星K4T1G164QQ-HCF7特写

　　由该芯片型号参数可以看出，其中K4T表示该芯片为三星DDR2 SDRAM系列闪存；1G代表容量1G bit（128MB Byte * 8bit / Byte = 1024 MB bit = 1G bit）容量；16代表芯片为16位；4表示内部 Banks为8 Banks；第一个Q代表接口为SSTL_18，VDD 1.8V、VDDQ 1.8V；第二个Q代表Q-die代；后半部分编码中H表示FBGA(Lead-Free & Halogen-Free，属于无卤、无铅的印制电路板)封装，无阵脚；C表示正常供电条件下芯片工作温度范围（0°C ~ 70°C）；最后的F7表示该芯片参数规格为DDR2-800(400Mhz@CL=5, tRCD=5, tRP=5)。

三星K4T1G164QQ-HCE7官方参数

　　该高速缓存体积小，散热性好，电气特性更好，性能稳定，同时也带来了产品零件成本高，对生产工艺要求更高的高投入，可见蓝魔音悦汇为了打造精品是不惜成本。

4、海量存储——三星16GB闪存芯片

　　音悦汇T11TE内置三星存储芯片，芯片型号K9HCG08U1D-PCBD，两颗8GB闪存颗粒组成16GB内存，另外，T11TE内置TF卡扩展槽，支持最高32GB外置容量扩展，可实现48GB海量存储空间。

    TF扩展卡槽旁即为K9HCG08U1D-PCBD闪存颗粒，内存旁边的空白焊接位置是WIFI芯片预留位置，为后期Android系统+WIFI无线扩展预留了空间。

    音悦汇T11TE的闪存芯片属于三星MLC-large block架构的量产产品。K9表示该芯片属于三星NAND 闪存；H代表MLC QDP（多层闪存芯片堆叠封装）；CG代表容量为64Gb；0代表常规闪存技术(x8)；8代表(x8)8位；U代表工作电压（2.7V~3.6V）；1代表Dual nCE & Dual R/nB；D代表第5代。第二段P代表GTSOP1封装（Lead-Free，无铅无锡电路板技术）；C表示芯片工作温度范围（0°C ~ 70°C）；B表示Include Bad Block，D表示预编程版本为D。

K9HCG08U1D-PCBD官方参数